棲霞山可控核聚變研究院中，站在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，徐川看著顯示屏上的圖像和數(shù)據(jù)。

        而在實(shí)驗(yàn)室的一側(cè)，還有著一間隔離實(shí)驗(yàn)間。

        在那里面，掃描電鏡、金屬原位分析儀、質(zhì)譜分析儀等設(shè)備正在分析著設(shè)備中的材料。

        破曉聚變裝置第二次的極限實(shí)驗(yàn)，創(chuàng)造的不僅僅是兩小時(shí)的高密度等離子體運(yùn)行記錄，還有一次氘氚原料聚變點(diǎn)火運(yùn)行實(shí)驗(yàn)。

        真正的氘氚原料聚變點(diǎn)火運(yùn)行實(shí)驗(yàn)，帶來的數(shù)據(jù)與價(jià)值，不是氦三與氫氣模擬高密度等離子體流運(yùn)行能比的。

        后者盡管同樣能在溫度、密度等方面接近前者，但終究是沒法發(fā)生聚變現(xiàn)象的。

        而前者，哪怕僅僅只有一毫克的量，卻能做到真正的氘氚聚變釋放能量，釋放中子，提升等離子體的溫度，擾亂等離子體運(yùn)行等等。

        這些都是氦三與氫氣模擬運(yùn)行所無法做到的。

        尤其是第一壁材料的中子輻照損傷，這是可控核聚變中繼控制反應(yīng)堆腔室中的高溫等離子體湍流的下一個(gè)世界難題。

        第一壁的材料不僅僅要面對(duì)反應(yīng)堆腔室中上億度的高溫氘氚等離子體，還要面對(duì)氘氚原料聚變過程中產(chǎn)生的中子束。

        除此之外，第一壁材料可能甚至還要承擔(dān)氚自持的功能。

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