2015年的Q1只剩下不到1個月的時間，全球擁有14/16nm產(chǎn)能的仍然只有冰芯與英特爾兩家。

        今年的晶圓制造先進工藝是屬于14/16nm的，而這個節(jié)點引入的Fi存在很大的優(yōu)化空間，明年只會是產(chǎn)能的增加與工藝的優(yōu)化。

        按照冰芯原先不受影響的研發(fā)進度，最快也得是2017年的上半年才有希望推出更為先進的10nm。

        也就是說，冰芯的16nm還有著十分不錯的最少兩年時間的保鮮期。

        方卓喝了口茶，微微點頭。

        梁孟淞這個時候說道：“好消息是，即便沒有EUV，我們使用DUV也已經(jīng)有拓展到10nm的方案，英特爾用的過渡方案是可行的，雖然方法復雜，成本也高，但這對我們是在技術和成本可行范圍內(nèi)的不錯選擇。”

        深紫外光刻加上自對準四重圖案化技術的解決方案是來自英特爾對制造工藝極限的開拓，胡正明與梁孟淞在與英特爾交流合作Fi之后基本確認了可行性。

        他想了想，又補充道：“考慮到英特爾對工藝節(jié)點的劃分和實際的晶體管密度，我認為10nm不是方案的極限，7nm的可行性也很高。”

        就像現(xiàn)在英特爾的14nm與冰芯的16nm，兩者歸在同一階段，但前者的晶體管密度是每平方毫米大約3750萬，后者的則是3000萬，兩種工藝存在25%的差距。

        同一階段的節(jié)點，英特爾確實更強，由此，英特爾的方案在10nm上的拓展或可展望其它廠商的7nm，但這就需要冰芯進一步的研究與優(yōu)化了。

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