“只有四核嗎？”

        “以目前的工藝來說，只能做到四核，目前中芯國際正在研發更加先進的工藝制程，等到將工藝進一步改進到45納米的時候，就能做到八核。”倪老說道：“這個難度很大，但是我們一定會解決的。”

        芯片的制程工藝都是用晶體管的柵極長度來命名的，現在最先進的65納米工藝，就是這個柵極長度是65納米，但是再接著向下，工藝越來越難，很多代工廠就在命名上開始放水，什么5納米，3納米的工藝，根本就做不出這么短的柵極來，只是聽上去好聽而已。

        不用說這種幾納米工藝，十幾納米都做不到，比如三行的14納米工藝，柵極長度是30納米，英特爾的14納米，相當于24納米等等。

        現在工藝的研發已經遇到了很多問題，從65納米再降低到45納米，已經不是那么容易的了。

        畢竟，硅原子核的直徑，也不過只有0.25納米，降低到45納米，那就意味著一個晶體管的柵極只有18個硅原子核而已，繼續降低下去，只剩下幾個硅原子核，這東西是在無規則運動的，說不定就跑出去了。同時，因為距離更近，這意味著在里面運動的電子也容易跑出去，這就是漏電，會導致運算錯誤。

        可以說，這些東西已經在慢慢地到達極限。

        “其實，到了65納米，我們就很難讓柵極的介電質繼續縮減變薄，繼續發展下去，晶體管的尺寸要進一步縮小，源極和漏極也靠得更近了，如果不能解決柵極向下的漏電問題以及源極和漏極之間的漏電問題，那我們的45納米工藝就將成為空中樓閣，我們也將喪失自己的優勢。”倪老說道。

        隨著晶體管工藝的不斷提升，組成半導體的材料已經達到了它的物理電氣特性的極限。首先承受不住的就是組成晶體管的柵極氧化物：柵極介電質。

        現有的工藝都是采用二氧化硅層作為柵極介電質，如果不能找到新的材料，就無法解決這個問題。

        其他的問題也很嚴重，當然了，秦濤聽不懂，但是他知道，這個辦法肯定是能解決的，因為后世的芯片工藝還在繼續發展。

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