目前已經制作出一個由14000個碳基晶體管組成的集成電路，并且運行成功，不過性能只達到了硅基芯片30年前的技術水平。

        這種技術最大的亮點在于，它是在一條商業硅基線上做的，它可以更快的實現產業應用，之前雄厚的硅基芯片制造實力已經給他們打下了好得不能再好的基礎。

        不過就算如此，這種碳基芯片想要真正達到工業化生產，投入市場使用的地步，也還有著很長的路要走。

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        與國外團隊相對比，國內的圓明園職院團隊走的則是另一條創新的路子。

        他們從碳管制造，組裝工藝和元器件結構等方面入手，創造性地研發出一套高性能碳管S器件的無摻雜制造方法。

        最近更是取得了突破性的進展，首次制造出了5nm柵極碳納米管CMOS器件，它的工作速度2倍于牙膏廠最新的商用硅晶體管，能耗卻只有其的1/4，這表明了在10nm以下碳納米管CMOS器件比硅基CMOS器件具有明顯的性能優勢。

        而且圓明園職院的團隊在高性能碳基晶體管和高質量碳納米管材料方面，對國外的團隊具有明顯的領先優勢。

        另外，與國外的技術路線相比，國內的碳基芯片在生產工藝上也有很大的不同。

        國內目前的碳基芯片或者說集成電路的預計制備流程還十分初級和原始，完善的空間還很大，大概是這樣的：

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